UNR411200A中文资料
UNR411200A图片
- 大小：130KB
- 厂家：
- 描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 300mW Through Hole NS-B1
- 数据列表：UNR411200A View all Specifications
- 标准包装：5,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP - 预偏压
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：22k
- 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：22k
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：60 @ 5mA，10V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：500nA
- 频率 - 转换：80MHz
- 功率 - 最大：300mW
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：NS-B1
- 供应商设备封装：NS-B1
- 包装：带盒（TB）
- 其它名称：UN4112-(TA)UNR411200ATB
UNR411200A供应商
更新时间:2023-01-07 09:23:02
IC热门型号推荐优势：品质保障[放心]、稳定库存[安心]、优质商家[省心]
点击搜索体验