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UNR411200A中文资料

UNR411200A图片

UNR411200A外观图

  • 大小:130KB
  • 厂家:
  • 描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 300mW Through Hole NS-B1
  • 数据列表:UNR411200A View all Specifications
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧):22k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):22k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):60 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):500nA
  • 频率 - 转换:80MHz
  • 功率 - 最大:300mW
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:NS-B1
  • 供应商设备封装:NS-B1
  • 包装:带盒(TB)
  • 其它名称:UN4112-(TA)UNR411200ATB

UNR411200A供应商

更新时间:2023-01-07 09:23:02
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